硅化鈷 CoSi2 

二硅化鈷
化學式CoSi2。分子量115.11。深褐色斜方系晶體。熔點1277℃，

相對密度5.3。在1200℃下可被氧化，侵蝕其表面;與氟在低溫下反應;
與氯在300℃反應。被氟化氫，稀、濃硝酸及硫酸侵蝕，也能被熔融的

強堿劇烈侵蝕。與沸熱的濃鹽酸緩慢作用。CoSi2具有低電阻率，

良好的熱穩定性，目前在大規模集成電路中作為接觸得到廣泛使用。

并且CoSi2有和Si相似的晶體結構，因此可以再Si襯底上形成外延

CoSi2/Si結構，用來研究外延金屬硅的界面特性。硅化物納米結構在

納米電子學的一系列領域還有著潛在的重要應用：半導體硅化物納米

結構（FeSi2）可以用來制備納米電子有源器件，在硅基納米發光器件

中可能有十分重要的應用；金屬性硅化物（CoSi2, NiSi2）可以再未來

的量子計算機、容錯太赫茲納米電路計算機中用作納米導線，由于可以

在硅襯底上制備外延硅化物導線，它們的性能因為沒有晶粒間界將會比

普通的金屬納米線大大提高；金屬性納米機構也可以在分子電子學中作為

一個分子或幾個分子的納米電極。
在半導體組件的工藝中，多在內部電連接點例如柵極、源極或漏極上，

形成低阻值的二硅化鈷(CoSi2)層。一般而言，二硅化鈷的制造方法是先

將金屬鈷(Co)層形成于一含硅的襯底上，再經過兩次的退火處理

(annealingtreatment)將鈷轉變成二硅化鈷。其中，第一次的退火處理

是先令鈷擴散到含硅的襯底內，以形成一硅化鈷(CoSi)層。第二次的退火

處理則是將硅化鈷層轉變成低阻值的二硅化鈷，藉以降低組件的電阻值。