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硅化鈷 CoSi2 

發布時間:2020/07/17
硅化鈷  CoSi2

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分線界-相關數據.jpg

二硅化鈷
化學式CoSi2。分子量115.11。深褐色斜方系晶體。熔點1277℃,

相對密度5.3。在1200℃下可被氧化,侵蝕其表面;與氟在低溫下反應;
與氯在300℃反應。被氟化氫,稀、濃硝酸及硫酸侵蝕,也能被熔融的

強堿劇烈侵蝕。與沸熱的濃鹽酸緩慢作用。CoSi2具有低電阻率,

良好的熱穩定性,目前在大規模集成電路中作為接觸得到廣泛使用。

并且CoSi2有和Si相似的晶體結構,因此可以再Si襯底上形成外延

CoSi2/Si結構,用來研究外延金屬硅的界面特性。硅化物納米結構在

納米電子學的一系列領域還有著潛在的重要應用:半導體硅化物納米

結構(FeSi2)可以用來制備納米電子有源器件,在硅基納米發光器件

中可能有十分重要的應用;金屬性硅化物(CoSi2, NiSi2)可以再未來

的量子計算機、容錯太赫茲納米電路計算機中用作納米導線,由于可以

在硅襯底上制備外延硅化物導線,它們的性能因為沒有晶粒間界將會比

普通的金屬納米線大大提高;金屬性納米機構也可以在分子電子學中作為

一個分子或幾個分子的納米電極。
在半導體組件的工藝中,多在內部電連接點例如柵極、源極或漏極上,

形成低阻值的二硅化鈷(CoSi2)層。一般而言,二硅化鈷的制造方法是先

將金屬鈷(Co)層形成于一含硅的襯底上,再經過兩次的退火處理

(annealingtreatment)將鈷轉變成二硅化鈷。其中,第一次的退火處理

是先令鈷擴散到含硅的襯底內,以形成一硅化鈷(CoSi)層。第二次的退火

處理則是將硅化鈷層轉變成低阻值的二硅化鈷,藉以降低組件的電阻值。



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